Properties of homoepitaxially MBE-grown GaN

T. Suski, J. Krueger, C. Kisielowski, P. Phatak, M. S H Leung, Z. Liliental-Weber, A. Gassmann, Nathan Newman, M. D. Rubin, E. R. Weber, I. Grzegory, J. Jun, M. Bockowski, S. Porowski, H. I. Helava