Electrical and physical properties of high-Ge-content Si/SiGe p-type quantum wells

R. A. Kiehl, P. E. Batson, J. O. Chu, D. C. Edelstein, F. F. Fang, B. Laikhtman, D. R. Lombardi, W. T. Masselink, B. S. Meyerson, J. J. Nocera, A. H. Parsons, C. L. Stanis, J. C. Tsang

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review